HORIBA堀場制作所 等離子體發射控制器
- 產品名稱：HORIBA堀場制作所 等離子體發射控制器
- 產品型號：RU-1000C-01/02
- 產品廠商：HORIBA堀場制作所
- 產品文檔：
HORIBA堀場制作所 等離子體發射控制器
的詳細介紹HORIBA堀場制作所 等離子體發射控制器RU-1000C-01/02
HORIBA堀場制作所 等離子體發射控制器RU-1000C-01/02
HORIBA堀場制作所 等離子體發射控制器RU-1000C-01/02
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HORIBA 開發的光學技術和 HORIBA STEC 提供的氣體控制技術相結合，使等離子體控制技術取得了進一步的發展。RU-100 等離子體發射控制器通過控制過渡區，優化大面積、高容量腔室內的等離子體分布，確保長濺射過程中的等離子體穩定化（穩定沉積）以及用于反應濺射的化合物的混合優化，實現更快的沉積速率。
概要
優點
快速且高度可靠的反饋控制
RU-1000 等離子體發射控制器利用新開發的算法執行快速和高度可靠的反饋控制客戶可以更改 PID 值，因此可以針對特定條件優化設置
等離子體發射的優異信噪比特性
使用準直器和其他光學元件進行優化設計，以準確測量等離子體發射的光量的微小變化
特殊的用戶友好軟件
該特殊軟件的設計考慮了客戶的需求，確保**的可操作性。HORIBA 還可以根據客戶需求開發定制軟件。
特征
RU-1000 等離子體發射控制器可在大表面積基板上實現出色的沉積空間分布。
反應濺射用于在觸控面板的薄膜和玻璃基板上進行薄膜沉積。該方法用于通過濺射顆粒和氧氣、氮氣或類似物在真空室中的化學反應形成沉積膜。薄膜沉積在反應模式和金屬模式之間的過渡區域顯著加速，金屬模式的薄膜沉積速率更快。該過渡區域可通過調節等離子體發射強度和電源來控制反應氣體來維持。
RU-1000 等離子體發射控制器將薄膜沉積速率加快到與金屬模式相當的速率，并在大表面積基板上實現出色的沉積分布。該裝置捕獲從光電倍增管裝置（PMT）和等離子體電源傳輸的代表等離子體狀態的信號，并采用 HORIBA STEC 編寫的算法來控制同樣由該公司開發的高響應質量流量控制器。
控制反應氣體的流量以維持金屬模式和反應模式之間的過渡區域。
HORIBA STEC制造的新型控制技術應用于等離子發射檢測和氣流控制。
| 1. |
檢測特定波長的等離子體發射強度 設計用于捕獲等離子體發射的 PMT 裝置可以直接安裝在真空室中。等離子體發射可以通過光纖從真空室引導到 PMT 裝置。可根據情況選擇任一選配。 |
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| 2. |
執行質量流量控制器的反饋控制 一個控制器可以控制多達四個 PMT 裝置和四個質量流量控制器。可捕獲來自等離子體電源的信號，而非來自 PMT 裝置的信號。 |
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| 3. |
支持各種陰極條件 我們編寫的原始算法實現了與 Al2O3 的出色反應濺射，而能實現這一點非常困難。該軟件還驗證了旋轉陰極的穩定性能。 |
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| 4. |
對等離子體發射的變化高度敏感 高速響應質量流量控制器對于在監測等離子體發射變化的同時控制反應氣體至關重要。HORIBA STEC 在半導體制造系統的質量流量控制器生產中占有一定的市場份額*，公司致力于為每個系統提供上等的質量流量控制器。 |
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* 根據 HORIBA STEC 在 2014 年進行的調查
適用范圍
真空室的條件控制
與功能薄膜或功能基板的反應濺射在長時間的連續制程中進行。穩定的薄膜沉積過程需要實時測量改變真空室內的條件和等離子體發射，以及根據變化程度適當控制引入的反應氣體的流速。
任何用于多層膜沉積的工藝都需要根據滾動和傳送速度增加對每層膜的沉積速率的控制。
RU-1000 監測等離子體電源阻抗的電壓信號和等離子體發射的強度。基于監控信號對質量流量控制器的反饋
幫助制造商將等離子體發射控制在應有水平，從而提高生產率。
用于制程優化的流量控制器和等離子儀器
使用一組系統測量和控制真空室內的條件。通過監控真空室內的條件并保持適合濺射工藝，確保穩定生產并提高生產率。
用于測量腔室內微量殘余氣體的系統緊湊型 MICROPOLE 系統包括一個具有出色可操作性的控制器，可輕松安裝到您當前使用的鍍膜系統上。系統還提供其他選配功能，例如一次連接多臺電腦，以及用于分析腔室內殘余氣體狀況的軟件。 |
一種用于汽化添加到沉積制程中的微量水和液體材料的系統據信，在沉積制程中，通過向腔室中添加微量的汽化水（H2O）可增強功能薄膜的功能性。 |
一種用于沉積制程中等離子體發射分析的系統CCD 檢測器可以同時測量 200 至 800 nm 的寬范圍波長，*小捕獲時間為 20 ms，*大分辨率為 2 nm。 |
