HORIBA堀場制作所 等離子體發(fā)射控制器RU-1000

HORIBA堀場制作所 等離子體發(fā)射控制器RU-1000

HORIBA堀場制作所 等離子體發(fā)射控制器RU-1000

更多詳情咨詢：13024103468 劉經(jīng)理

HORIBA 開發(fā)的光學(xué)技術(shù)和 HORIBA STEC 提供的氣體控制技術(shù)相結(jié)合，使等離子體控制技術(shù)取得了進(jìn)一步的發(fā)展。RU-100 等離子體發(fā)射控制器通過控制過渡區(qū)，優(yōu)化大面積、高容量腔室內(nèi)的等離子體分布，確保長濺射過程中的等離子體穩(wěn)定化（穩(wěn)定沉積）以及用于反應(yīng)濺射的化合物的混合優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更快的沉積速率。

概要

優(yōu)點(diǎn)

快速且高度可靠的反饋控制

RU-1000 等離子體發(fā)射控制器利用新開發(fā)的算法執(zhí)行快速和高度可靠的反饋控制客戶可以更改 PID 值，因此可以針對特定條件優(yōu)化設(shè)置

等離子體發(fā)射的優(yōu)異信噪比特性

使用準(zhǔn)直器和其他光學(xué)元件進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計，以準(zhǔn)確測量等離子體發(fā)射的光量的微小變化

特殊的用戶友好軟件

該特殊軟件的設(shè)計考慮了客戶的需求，確保**的可操作性。HORIBA 還可以根據(jù)客戶需求開發(fā)定制軟件。

特征

RU-1000 等離子體發(fā)射控制器可在大表面積基板上實(shí)現(xiàn)出色的沉積空間分布。

反應(yīng)濺射用于在觸控面板的薄膜和玻璃基板上進(jìn)行薄膜沉積。該方法用于通過濺射顆粒和氧氣、氮?dú)饣蝾愃莆镌谡婵帐抑械幕瘜W(xué)反應(yīng)形成沉積膜。薄膜沉積在反應(yīng)模式和金屬模式之間的過渡區(qū)域顯著加速，金屬模式的薄膜沉積速率更快。該過渡區(qū)域可通過調(diào)節(jié)等離子體發(fā)射強(qiáng)度和電源來控制反應(yīng)氣體來維持。
RU-1000 等離子體發(fā)射控制器將薄膜沉積速率加快到與金屬模式相當(dāng)?shù)乃俾剩⒃诖蟊砻娣e基板上實(shí)現(xiàn)出色的沉積分布。該裝置捕獲從光電倍增管裝置（PMT）和等離子體電源傳輸?shù)拇淼入x子體狀態(tài)的信號，并采用 HORIBA STEC 編寫的算法來控制同樣由該公司開發(fā)的高響應(yīng)質(zhì)量流量控制器。

控制反應(yīng)氣體的流量以維持金屬模式和反應(yīng)模式之間的過渡區(qū)域。

HORIBA STEC制造的新型控制技術(shù)應(yīng)用于等離子發(fā)射檢測和氣流控制。

* 根據(jù) HORIBA STEC 在 2014 年進(jìn)行的調(diào)查

適用范圍

真空室的條件控制

與功能薄膜或功能基板的反應(yīng)濺射在長時間的連續(xù)制程中進(jìn)行。穩(wěn)定的薄膜沉積過程需要實(shí)時測量改變真空室內(nèi)的條件和等離子體發(fā)射，以及根據(jù)變化程度適當(dāng)控制引入的反應(yīng)氣體的流速。
任何用于多層膜沉積的工藝都需要根據(jù)滾動和傳送速度增加對每層膜的沉積速率的控制。

RU-1000 監(jiān)測等離子體電源阻抗的電壓信號和等離子體發(fā)射的強(qiáng)度。基于監(jiān)控信號對質(zhì)量流量控制器的反饋
幫助制造商將等離子體發(fā)射控制在應(yīng)有水平，從而提高生產(chǎn)率。

用于制程優(yōu)化的流量控制器和等離子儀器

使用一組系統(tǒng)測量和控制真空室內(nèi)的條件。通過監(jiān)控真空室內(nèi)的條件并保持適合濺射工藝，確保穩(wěn)定生產(chǎn)并提高生產(chǎn)率。