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容器組件

HORIBA 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量終點(diǎn)監(jiān)測(cè)儀

  • 產(chǎn)品名稱:HORIBA 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量終點(diǎn)監(jiān)測(cè)儀
  • 產(chǎn)品型號(hào):LEM-670nm
  • 產(chǎn)品廠商:HORIBA堀場(chǎng)制作所
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簡(jiǎn)單介紹
HORIBA堀場(chǎng)制作所 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量的攝像頭終點(diǎn)監(jiān)測(cè) LEM-670nm

HORIBA 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量終點(diǎn)監(jiān)測(cè)儀

的詳細(xì)介紹

HORIBA堀場(chǎng)制作所 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量的攝像頭終點(diǎn)監(jiān)測(cè) LEM-670nm

HORIBA堀場(chǎng)制作所 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量的攝像頭終點(diǎn)監(jiān)測(cè) LEM-670nm

HORIBA堀場(chǎng)制作所 實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量的攝像頭終點(diǎn)監(jiān)測(cè) LEM-670nm

更多詳情咨詢:13024103468 劉經(jīng)理


我們的實(shí)時(shí)干涉工藝監(jiān)測(cè)儀可在蝕刻/沉積制程中對(duì)薄膜厚度和溝槽深度進(jìn)行高精度檢測(cè)。根據(jù)應(yīng)用的不同,LEM 攝像頭包含 670、905 或 980 nm 激光器,當(dāng)安裝在任何干法蝕刻/沉積制程處理室上,直接俯視晶圓時(shí),會(huì)在樣品表面產(chǎn)生小激光點(diǎn)。

單色光照射到樣品表面時(shí)會(huì)發(fā)生干涉,由于薄膜的厚度和高度變化,會(huì)導(dǎo)致不同的光程長(zhǎng)度。
可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻/沉積速率厚度,也允許條紋計(jì)數(shù)或更復(fù)雜的分析,為各種工藝提供增強(qiáng)的制程控制終點(diǎn)檢測(cè)。此外,接口可通過其反射率的變化來檢測(cè)。

概要

一般特征

由于采用干涉測(cè)量技術(shù),LEM 攝像頭非常適合蝕刻/沉積速率監(jiān)測(cè)、條紋計(jì)數(shù)和終點(diǎn)檢測(cè),提供薄膜厚度和溝槽深度以及接口的高精度檢測(cè)。
LEM 攝像頭可以安裝在任何處理室上,直接俯視晶圓,并提供樣品表面的實(shí)時(shí)數(shù)字 CCD 圖像,使光斑定位更簡(jiǎn)單。


圖 1:攝像頭圖像使光斑定位更簡(jiǎn)單

一般特征

  • 多種配置滿足您的需求
    LEM 攝像頭提供:

    • LEM 傳感器

    • 完整 LEM-CT 儀器

    • 簡(jiǎn)單模擬輸出

    • 原始設(shè)備制造商的理想選擇(限傳感器)

    • 包括易用的配方編輯器支持的完整計(jì)算機(jī)控制(Sigma_P 軟件),用于先進(jìn)制程監(jiān)控。工業(yè)研發(fā)環(huán)境中原始設(shè)備制造商和工藝開發(fā)的理想選擇。

    • 2 種配置:

    • 3 種激光兼容各種薄膜,包括 SiN、SiO2、GaAs、InP、AlGaAs、GaN……LEM 攝像頭根據(jù)應(yīng)用使用可見(670 nm)或近紅外激光器(905 nm、980 nm)

    • XY 手動(dòng)或電動(dòng)工作臺(tái)

    • LEM 上的垂直傾斜管理(默認(rèn))或使用更簡(jiǎn)單的傾斜功能(選配)

  • 傳感頭:帶 CCD 成像的攝像頭
    物鏡到晶圓的距離附著范圍為 200 mm 到 800 mm。使用激光器可使光斑直徑小至 20 μm 到 100 μm。一種緊湊、獨(dú)立的放大器設(shè)計(jì),當(dāng)連接到數(shù)據(jù)記錄器等設(shè)備,只需一個(gè)攝像頭即可監(jiān)控 0 V 至 10 V 輸出。
    該系統(tǒng)通過基于周期監(jiān)控干涉強(qiáng)度來計(jì)算監(jiān)控區(qū)域的蝕刻/沉積速度,實(shí)現(xiàn)從規(guī)定的膜厚度和溝槽深度檢測(cè)終點(diǎn)。
    基于這一理論,該系統(tǒng)很穩(wěn)定,可用于復(fù)雜的多層膜。

  • 抓幀器
    抓幀器允許優(yōu)化攝像頭設(shè)置位置,還可以將光斑設(shè)置在正確的位置,以便進(jìn)行制程監(jiān)控。

  • 傳統(tǒng)干涉波類型
    橫軸代表時(shí)間。隨著蝕刻過程的進(jìn)行,相對(duì)于蝕刻深度產(chǎn)生干涉周期。一個(gè)周期內(nèi)的蝕刻量顯示為厚度/深度= λ(激光波長(zhǎng))/ 2n(蝕刻膜的折射率)。

  • 用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和終點(diǎn)檢測(cè)的 Sigma_P
    Sigma_P© 軟件允許快速配置配方,然后創(chuàng)建可靠的終點(diǎn)檢測(cè):

    • 通過基于 Windows 10 的軟件平臺(tái),直觀的用戶交互設(shè)計(jì)允許隨時(shí)間處理激光波長(zhǎng)。

    • 用戶可使用配方編輯器構(gòu)建有效的配方,包括信號(hào)算法和過濾,以及終點(diǎn)條件和決策,并集成在線幫助。

    • 同一界面*多可顯示 8 條曲線,以同時(shí)監(jiān)控信號(hào)、導(dǎo)數(shù)以及特定干涉測(cè)量方法變量和終點(diǎn)。

  • 配方管理
    統(tǒng)一的設(shè)計(jì)概念允許用戶在一個(gè)流暢且易用的類似 Excel 的配方編輯器中設(shè)置配方。
    通過 Sigma_P 軟件擴(kuò)展設(shè)置功能,納入多個(gè)用于特殊信號(hào)檢測(cè)和差信噪比信號(hào)檢測(cè)的兼容算法,并且始終可以擴(kuò)展。

  • SQL 管理
    腔室數(shù)據(jù)庫、工具數(shù)據(jù)庫嵌入在傳感器附近,可由操作人員、配方、統(tǒng)計(jì)人員、APC(先進(jìn)制程控制)服務(wù)器、遠(yuǎn)程制程工程師辦公室在線訪問。

  • 重處理管理器回放原始數(shù)據(jù)
    允許即時(shí)回放儀器優(yōu)化的數(shù)學(xué)處理,還允許腳本自動(dòng)重處理多個(gè)數(shù)據(jù)運(yùn)行,用于制程驗(yàn)證、APC 擴(kuò)展、參數(shù)研究。
    這些數(shù)據(jù)也可以直接發(fā)送到 HORIBA 進(jìn)行分析和優(yōu)化。

  • 靈活配方管理器
    擴(kuò)展允許批間、晶圓對(duì)晶圓、批對(duì)批、腔室對(duì)腔室的數(shù)據(jù)交換,以強(qiáng)化生產(chǎn)控制。

  • 原位統(tǒng)計(jì)制程控制
    統(tǒng)計(jì)引擎允許配方自我計(jì)算生產(chǎn)指標(biāo)和默認(rèn)值,既可由直接用戶觸發(fā),也可從主機(jī)或工程師工作臺(tái)觸發(fā)。

  • 自動(dòng)化數(shù)據(jù)鏈路管理器
    使用中間件設(shè)計(jì)接口室、設(shè)備主機(jī)、晶圓廠主機(jī)、晶圓廠服務(wù)器的靈活性:遠(yuǎn)程控制(RS 232、TCP/IP、PIO)、SECS、HSMS、Fab LAN、Fab e-mailing 和其他協(xié)議。

  • 先進(jìn)算法管理器
    強(qiáng)大的外部數(shù)學(xué)工具與本地配方數(shù)學(xué)公式編輯器和原位數(shù)學(xué)計(jì)算器的結(jié)合

  • 干涉測(cè)量工程的動(dòng)力學(xué)建模器
    根據(jù)堆積結(jié)構(gòu)(每層由其材料、厚度和蝕刻/沉積速率來表征)和所用波長(zhǎng)得到的理論干涉曲線。允許在晶圓上進(jìn)行實(shí)際工程前獲得參考曲線。

  • 選配

    • 2 種 XY 工作臺(tái):手動(dòng)或電動(dòng)(帶控制器和操縱桿)

    • 手動(dòng)傾斜以簡(jiǎn)化垂直度設(shè)置(FA 實(shí)驗(yàn)室)

    • 2 種個(gè)人電腦控制器:標(biāo)準(zhǔn)或**

  • 附加條件
    晶圓垂直方向上需要 ?20 或更大的測(cè)量觀察口。

 

LEM-CT 應(yīng)用

一般特征

對(duì)于干涉測(cè)量(使用寬譜閃光燈光源的激光或多波長(zhǎng)),終點(diǎn)檢測(cè)主要包括三個(gè)步驟:

  1. 選擇攜帶過渡信息(接口檢測(cè))或厚度/深度/剩余厚度信息的相關(guān)波長(zhǎng);

  2. 實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)過濾(廣義上)和終點(diǎn)指示器構(gòu)建;

  3. 一系列測(cè)試讓算法直面生產(chǎn)波動(dòng)的現(xiàn)實(shí)。

為滿足這些新要求,HORIBA 開發(fā)了基于干涉測(cè)量的新型傳感器(硬件和軟件),執(zhí)行適用于所有蝕刻機(jī)的終點(diǎn)檢測(cè)、故障檢測(cè)和先進(jìn)制程控制(APC),以幫助工程師和晶圓廠管理當(dāng)前和未來的產(chǎn)品和技術(shù)。

干涉測(cè)量:INT

LEM-CT 提供實(shí)時(shí)準(zhǔn)確可靠的厚度/深度信息

除等離子體外,樣品信息也很復(fù)雜。LEM-CT (EV 2.0 INT)安裝在任何可直接俯視晶圓的處理室上,可獲得光學(xué)半透明多層結(jié)構(gòu)的局部信息。可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻速率和蝕刻厚度,為各制程提供增強(qiáng)的工藝控制。此外,接口可通過其反射率的變化來檢測(cè)。

由于采用干涉測(cè)量技術(shù),LEM-CT 非常適合蝕刻/沉積速率監(jiān)測(cè)和終點(diǎn)檢測(cè),可對(duì)條紋計(jì)數(shù)、膜厚、溝槽深度、接口等進(jìn)行高精度檢測(cè)…

  • 單色光照射到樣品表面時(shí)會(huì)發(fā)生干涉,由于薄膜的厚度和高度變化,會(huì)導(dǎo)致不同的光程長(zhǎng)度。

  • HORIBA 為 WIN10 PRO、64 位電腦提供專用于干涉監(jiān)測(cè)和終點(diǎn)檢測(cè)的 HORIBA 軟件

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