HORIBA堀場 光發射光譜蝕刻終點監測儀
- 產品名稱:HORIBA堀場 光發射光譜蝕刻終點監測儀
- 產品型號:EV-140C
- 產品廠商:HORIBA堀場制作所
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HORIBA堀場 光發射光譜蝕刻終點監測儀
的詳細介紹HORIBA堀場制作所 光發射光譜蝕刻終點監測儀EV-140C
HORIBA堀場制作所 光發射光譜蝕刻終點監測儀EV-140C
HORIBA堀場制作所 光發射光譜蝕刻終點監測儀EV-140C
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該發射分析型終點監測儀用于等離子體半導體薄膜工藝中的終點檢測或等離子體條件控制。新開發的 Rapture Intensity 算法通過捕捉微弱的信號變化來實現終點檢測。捕捉細微發射變化的能力顯著提高了靈敏度。增強的抗干擾度確保了在惡劣環境下全天候生產線的高度穩定運行。
概要
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開口率為 F/2 的亮光柵
使用 HORIBA Jobin Yvon 制造的直徑為 70 毫米的像差校正凹面光柵可組建明場光學系統。凹面光柵本身的聚光能力可構建比 Czerny-Turner 分光鏡更亮的簡單光學系統,且能降低鏡子和其他反射表面引起的反射損失。
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背照式 CCD 線傳感器提供 2,048 條高靈敏度和高分辨率通道
背照式 CCD 實現了高量子效率,確保從紫外到可見光的寬光譜范圍內的穩定光譜。紫外區的高靈敏度測量可以在受干擾影響較小的波長范圍內實現終點檢測。
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用于先進制程控制的 Sigma-P 軟件
該軟件執行制程控制所需的各種步驟,從等離子體性能分析到測量數據的數據庫創建和制造設備的遠程控制。
測量配方的可編程結構允許設置多個檢測條件和順序處理。這使得該監測儀不僅可用于終點應用,還可用于**的等離子體條件監測。
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配方設置示例
這是一種先進的配方設置,可對異常等離子體條件發出警告,并使用兩個波長之間的比值進行終點測量。
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重處理功能
獲得光譜數據后,通過應用新的配方條件,可以根據需要重復執行配方優化或終點檢測模擬。
標配一個用于識別等離子體發射種的數據庫。
光譜數據可以轉換成時間進程圖,或者可以使用屏幕布局、操作波形、與參考數據的比較計算波形以及其他信息在屏幕上自由顯示。
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用于分析時間進程圖的 Auto Pattern(自動圖案)軟件
從大量含有噪聲的光譜數據中發現細微的圖案變化是一項艱巨的挑戰。自動圖案軟件自動發現特征圖案變化,以確定適合的終點波長。
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強大的終點算法
通過使用用戶指定的波長對波長計算波形和濾波,可以準確檢測終點。新開發的 Rapture Intensity 算法允許持續監測兩條直線相交角度的變化,這兩條直線近似兩個指定的部分。這可以確保無延遲地將變化點與噪聲適當區分開,且準確地檢測到極小的信號變化,例如具有小開口面積的終點。
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弱信號波形重處理示例
小開口面積的蝕刻監測(<0.2%)。頻率濾波器處理原始信號中的噪聲后,(上升(A+B+ C)/下降(D+E+F)曲線之比(黑線)的差分信號(粉線)可實現對終點的準確檢測。
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配方設計器是一款自動同步分析結果的配方生成工具(可選軟件)
配方設計器是自動圖案分析工具的擴展版本。用戶只需按照屏幕上的指令進行分析和模擬,就可以生成適合的 Rapture Intensity 算法。該算法可以輕松構建至真正的配方中。這可以極大減輕微弱和復雜發射種的終點或因工藝條件變化或類似情況而無法檢測到的終點的配方生成負擔。
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配方設計器設置示例
步驟 1:波長變化圖案的自動提取
步驟 2:使用兩條直線逼近來識別變化點
步驟 3:由 Rapture Intensity 執行的 EDP 仿真和完整算法可以導出并構建至 Sigma-P 軟件中
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先進統計制程:配方反饋
統計制程編輯器能從許多不同的角度分析日志數據,有助于提高異常分析和成品率。分析的結果可以反饋給測量。